グリーンデバイス用難加工材料基板の高効率加工プロセス技術と革新的デバイス創出を目指す接合技術

摘要

20世紀後半に発展した半導体シリコン（Si）ウエハーを用いるICやLSI技術は、低抵抗鋼（Cu）の多層配線や3次元実装などの一般化に象徴されるように超高密度·高速·多機能化を実現、数十年前では信じられないほどの進歩を遂げた。21 世紀になって十数年を経た今冒、特に高周波·パワーデバイス系ではSiの物理的限界もあって、発光デバイスなどを含め次世代デバイスとして炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドギャップ半導体基板が、さらには近未来型のダイヤモンド結晶基板が、グリーンデバイス用として注目を浴びている。