NaフラックスLPE法による大型高品質GaN結晶育成技術の現状と展望

摘要

これまで筆者らは，紫外光発生用非線形光学結晶CsLiB{sub}6O{sub}10や有機非線形光学結晶DAST，創薬のためのタンパク質結晶に関して，結晶核発生プロセスと結晶育成プロセスの制御という観点から溶液からの高品質結晶育成技術の研究開発を行ってきた．この経験から学hだことは，溶液からの結晶成長において，大型高品質結晶を育成するためには，結晶核発生プロセスと結晶育成プロセスの制御が鍵を握るということである．筆者らは，山根先生の発表に刺激を受け，Naフラックス法の高いポテンシャルに興味を抱き，これまでの溶液成長の経験で得られた知見を基に，溶液からの大型GaN結晶の育成技術の開発を試みてきた．本稿では，筆者らが研究開発してきたNaフラックス法における結晶核発生制御技術，及び溶液攪拌による溶液状態制御技術，そして，開発した技術により育成したGaNバルク結晶の現状について述べる．