日立、高耐久性構造SiCパワー半導体「TEDzMOS」を開発、電気自動車のモーター駆動省エネ化、従来比40％の電界強度低減と50％の省エネ化を実現

摘要

日立製作所は、電気自動車（EV）の省エネ化に貢献する新構造のパワー半導体として、次世代材料の炭化ケイ素（SiC）を用いた日立独自のデバイス「TED－MOS」を新たに開発した。開発したパワー半導体は、パワー半導体の一種であるSiCトランジスターの一般的な構造DMOSiETを基本構造として、ひれ状のトレンチを形成した新構造（Fin状トレンチ）デバイス。