米イリノイ大が、液相による[MacEtch法]FinFETエッチング技術を開発、縦長で幅狭のフィンを作製することが可能に

摘要

FinFETの製造で最も難しいプロセスは、パターニングとエッチングであるとされている。これに対応して、米イリノイ大学が縦長で幅狭のFinFET（フィンフェット）を作製する「メタルアシスト化学エッチング法」（MacEtch）と呼ばれる新規なエッチング技術を開発した。FinFETは、これまでの半導体の微細化の主力となってきた作り込み手法であるプレーナー型から立体構造を導入して、限界に迫ってきた微細化に対応しようという技術。そのためには、数十億個もあるトランジスタのフィン幅を制御しなければならない。具体的には、フィンの高さやSTIと呼ばれる浅いトレンチ分離の高さなどを制御する必要があるoFinFETプロセス技術のトレンドは、「より高く、より薄く、より直線的に」とされており、この目標に沿った技術開発が求められており、同大の開発したMacEtch法は、他のエッチング技術では類を見ないアスペクト比を有し、滑らかで均一な半導体と絶縁体のインターフェースによる安定した高性能を確保できるという。