SiC基板の超平坦加工用研磨スラリーの開発に成功--フジミが業界初の実現,高温用パワーデバイス量産化に貢献-

摘要

フジミインコーポレーテッドは，パワーデバイス向け次世代半導体材料として，実用化が期待されているSiC単結晶基板の表面を，無歪（ひず）みで原子レベルまで超平たh化する研磨スラリーを，業界で初めて開発した。 SiC基板は，シリコン原子が最表面に存在するSi面と，炭素原子が最表面に存在するC面とが表裏となっており，おのおのの面での加工時性が著しく異なることが，最終研磨工程を極めて薙しいものにしていた。 今回の開発では，各面専用の研磨スラリーを用いて，Si面もC面も共に平均粗さが1オングストローム以下という，原子レベルの無歪·超平たh面が得られた。 特にC面の場合は，研磨面にピットと呼ばれる微小凹部が発生しやすいため，これまで超平たh加工は難しいとされていたが，今回はバルクの結晶性を維持した研磨面が得られており，そのことが原子間力顕微鏡（AFM）画像に現れる．明瞭な原子ステップ（結晶表面上に存在する原子層の段差）によって確認された。