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【24h】

静電容量測定法によるマイクロ流路内の微粒子濃度分布の計測

机译:静电电容测量方法测量微通道中的微孔浓度分布

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摘要

筆者らは、MEMSプロセス技術により、マイクロ流路内に1断面あたり12個の電極を配置し、5つの計測断面を有する多層電極内装型マイクロ流路を作製し、非定常な粒子濃度分布の時間変化を計測できることを示し[16]、マイクロ流路内の微粒子マイグレーションに及ぼす粒子径の影響を報告した。そこで、本研究は、静電容量測定法を用いて、初期微粒子濃度をパラメータとし、多層電極内装型マイクロ流路内の上流側と下流側とで、流路断面の濃度分布を計測し、流路断面における微粒子マイグレーションに対する初期微粒子濃度の影響を検討することを目的とする。
机译:作者具有MEMS处理技术,其在微通道中的每个横截面布置12个电极,并产生具有五个测量横截面的多层电极内部型微通道,并且不稳定颗粒浓度分布的时间表示可以测量变化,并且据报道了粒径对微通道中微粒迁移的影响。 因此,该研究使用电容测量方法制造初始粒子浓度参数,并测量多层电极内部型微通道中的上游侧和下游侧的流路横截面的浓度分布。本发明的目的是检查初始颗粒浓度对横截面微粒迁移的影响。

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