高キャリア移動度とEUTの薄膜化を両立/SrGe屠をGeチャネルと高誘電絶縁膜の間に挿入

摘要

東芝は，回路線幅16nm世代以降のLSIに用いられるゲルマニウムMIS（金属-絶縁膜-半導体）トランジスターに適用可能なゲート絶縁膜積層技術を開発した。トランジスターの微細化に伴い，チャネル材料には従来からのSiに代わってGeの採用が検討されており，これに適したゲート積層構造の研究が各方面で行われている。