机译:超高真空有机分子束沉积系统,用于原位生长和表征
Laborató rio Nacional de Luz Síncrotron - Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CP 6192 13083-970 Campinas SP Brazil;
Laborató rio Nacional de Luz Síncrotron - Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CP 6192 13083-970 Campinas SP Brazil;
Laborató rio Nacional de Luz Síncrotron - Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CP 6192 13083-970 Campinas SP Brazil;
Laborató rio Nacional de Luz Síncrotron - Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CP 6192 13083-970 Campinas SP Brazil;
Laborató rio Nacional de Luz Síncrotron - Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CP 6192 13083-970 Campinas SP Brazil;
Laborató rio Nacional de Luz Síncrotron - Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CP 6192 13083-970 Campinas SP Brazil;
organic molecular deposition; in situ preparation;
机译:超高真空有机分子束沉积系统,用于原位生长和表征
机译:通过原位金属有机化学气相沉积形成的结晶Al_2O_3 / GaN界面的电学和结构表征
机译:Ga面GaN金属氧化物半导体电容器上Al_2O_3的原位有机金属化学气相沉积和电容电压表征
机译:使用垂直入射原位光学生长速率监视器来控制通过有机金属化学气相沉积进行的氮化物半导体沉积的限制
机译:金属有机化学气相沉积法在光子和电子器件中使用III型氮化物材料系统的生长和表征。
机译:水对有机/无机杂化体系界面分子相互作用的初始作用的原位表征
机译:使用金属有机气相沉积/原子层沉积混合系统原位制造的包含al2O3栅极氧化物和alN钝化层的Gaas金属氧化物半导体结构的电特性
机译:mOCVD(金属有机化学气相沉积)III / V半导体生长的原位机理研究