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机译:空位在双掺杂IN3SBTE2中快速相变局部变形的影响
Hanyang Univ Div Mat Sci &
Engn Seoul 04763 South Korea;
Virtual Lab Inc Ctr Mat Simulat Res Seoul 02792 South Korea;
Korea Inst Sci &
Technol Ctr Computat Sci Seoul 02792 South Korea;
Hanyang Univ Div Mat Sci &
Engn Seoul 04763 South Korea;
Korea Inst Sci &
Technol Semicond Mat &
Device Lab Seoul 02792 South Korea;
Phase change material; Phase change memory; Distortion; Vacancy;
机译:空位在双掺杂IN3SBTE2中快速相变局部变形的影响
机译:具有轨道简并性的过渡金属化合物的局部晶格畸变和光诱导相变
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