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In-situ XPS Study of Core-levels of ZnO Thin Films at the Interface with Graphene/Cu

机译:与石墨烯/ Cu界面的ZnO薄膜核心水平的原位XPS研究

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摘要

We have investigated core-levels of ZnO thin films at the interface with the graphene on Cu foil using in-situ X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). Spectral evolution of C 1s, Zn 2p, and O 1s are observed in real time during RF sputtering deposition. We found binding energy (BE) shifts of Zn 2p and Zn-O' state of O 1s depending on ZnO film thickness. Core-levels BE shifts of ZnO will be discussed on the basis of electron transfer at the interface and it may have an important role in the electronic transport property of the ZnO/graphene-based electronic device.
机译:我们使用原位X射线光电子能谱(XPS)在Cu箔上的含有石墨烯的界面上研究了ZnO薄膜的核心水平。 在RF溅射沉积期间实时观察C 1S,Zn 2P和O 1S的光谱演化。 根据ZnO膜厚度,我们发现Zn 2P和Zn-O'状态的Zn 2P和Zn-O'状态的换档。 将基于界面的电子转移讨论ZnO的核心级别,并且在基于ZnO /石墨烯的电子设备的电子传送性质中可能具有重要作用。

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