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机译:基于3D建模高κ门堆叠分级通道双层材料综合分析
Department of Electronics and Instrumentation University of Kashmir Srinagar India;
Department of Electronics and Instrumentation University of Kashmir Srinagar India;
silicon-on-nothing; short channel effects; dual material gate; graded channel; trigate MOSFET;
机译:基于3D建模高κ门堆叠分级通道双层材料综合分析
机译:分级通道栅极堆叠的表面电位建模(GCG)高k电介质双材料双栅极(DMDG)MOSFET和模拟/射频性能研究
机译:具有双材料底栅的高k栅叠层双材料三栅极应变无硅MOSFET的3-D解析模型,可抑制短沟道效应
机译:围绕栅极MOSFET的双材料栅极渐变沟道栅堆叠(DMG-GC-Stack):分析阈值电压(V
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:具有高κ栅极堆叠的常规和应变si n-mOsFET中的器件性能