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机译:用于天花化相关的中性分子的总电子电离横截面
Univ Oxford Dept Chem Chem Res Lab 12 Mansfield Rd Oxford OX1 3TA England;
Univ Oxford Dept Chem Chem Res Lab 12 Mansfield Rd Oxford OX1 3TA England;
electron ionization cross-section; astrochemistry; binary-encounter Bethe model;
机译:用于天花化相关的中性分子的总电子电离横截面
机译:用于天体化学兴趣分子的总电子电离横截面
机译:电子撞击导致大气分子的总电离截面
机译:Si_2,SiC,SiC_2和Si_2C分子的总电离横截面
机译:笼子化合物和柔性分子的电子结构的格林函数和戴森轨道研究:多体量子力学与电子动量,光电子和潘宁电离电子光谱学的对立
机译:电子与空气中中性分子的附着
机译:CFx和NFx的总电子冲击电离截面(x = 1-3)
机译:元素的总电子激发截面和部分电子电离截面的计算