...
机译:基于MEMS悬臂结构的压力传感器的设计与分析,口袋掺杂DG-TFET
NIT Jalandhar Dept ECE VLSI Design Jalandhar 144011 Punjab India;
NIT Jalandhar Dept ECE VLSI Design Jalandhar 144011 Punjab India;
NIT Jalandhar Dept ECE VLSI Design Jalandhar 144011 Punjab India;
NIT Jalandhar Dept ECE VLSI Design Jalandhar 144011 Punjab India;
NIT Jalandhar Dept ECE VLSI Design Jalandhar 144011 Punjab India;
Double Gate Tunnel Field Effect Transistor (DG-TFET); Pressure Sensor; Micro-Electromechanical System (MEMS);
机译:基于MEMS悬臂结构的压力传感器的设计与分析,口袋掺杂DG-TFET
机译:基于MEMS纳米悬臂梁结构的压力传感器作为无掺杂TFET的异质介电栅电极
机译:具有凸起膜和辅助双功能青蛙结构的MEMS压力传感器的设计与分析,用于低压测量
机译:开发用于电源终端监控的MEMS电流传感器:第VIII部分-基于悬臂梁结构的压电层的分段设计和经验分析
机译:具有集成MEMS压力传感器的微通道中结构化粗糙度的设计和制造。
机译:具有独立微悬臂结构的基于MEMS的气流传感器
机译:基于mEms的空气流量传感器,具有独立的微悬臂结构