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机译:辐照和退火期间氮气掺杂CVD金刚石中的缺陷变换
CUNY Coll Staten Isl Staten Isl NY 10314 USA;
Gemol Inst Amer New York NY 10036 USA;
Gemol Inst Amer New York NY 10036 USA;
CVD diamond; Nitrogen doping; Absorption spectroscopy; photoluminescence; A-aggregates; Nitrogen clusters;
机译:辐照和退火期间氮气掺杂CVD金刚石中的缺陷变换
机译:辐照和退火期间氮气掺杂CVD金刚石中的缺陷变换
机译:多晶CVD金刚石的导热性:退火引起的缺陷和晶界转变的影响
机译:高温退火后快中子辐照氮掺杂的直拉硅的缺陷
机译:电荷运输和辐射诱导单晶CVD金刚石中的缺陷
机译:MPCVD横向同质外延金刚石生长过程中引起的结晶缺陷
机译:电子辐照硅退火过程中点缺陷转变的动力学
机译:在高压下退火氮掺杂的Znse:抑制天然缺陷形成