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机译:脉冲激光沉积技术生长kNN薄膜的介电和铁电研究
Univ Delhi Dept Phys &
Astrophys Delhi 110007 India;
CSIR Natl Phys Lab Dr KS Krishnan Marg New Delhi 110022 India;
Univ Delhi Dept Phys &
Astrophys Delhi 110007 India;
Univ Delhi Phys Dept Miranda House Delhi 110007 India;
KNN; PLD; Ferroelectric; Dielectric; MIM;
机译:脉冲激光沉积技术生长kNN薄膜的介电和铁电研究
机译:APS -APS 2017年3月会议-活动-通过脉冲激光沉积法制备铁氧化物的Hf $ _ {1-x} $ Zr $ _ {x} $ O $ _ {2} $薄膜的介电和结构特性
机译:结构,光学,非线性光学,电介质特性和LA_(0.01)BA_(0.99)TiO_3,SM_(0.5)SR_(0.5)COO_3和SM_(0.5)SR_(0.01)BA_(0.01)BA_的电子结果 (0.99)使用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基板上生长的TiO_3薄膜
机译:(001)和(011)铁电Ba {sub}(1-x)sr {sub} xtio {sub} 3的微波介电性质的比较脉冲激光沉积生长的薄膜
机译:脉冲激光沉积在非线性光波导中生长的铁电氧化物薄膜的合成与性能
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:脉冲激光沉积法生长(K₀.₄₈Na₀.₄₈Li₀.₀₄)(Nb₀.₇₇₅Ta₀.222₅)O₃薄膜的铁电,压电和泄漏电流特性