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机译:SiO2 /石墨烯/ Cu / Ti / Si2 / Si样本侧漏电流氟化碳膜和退火条件的影响
SiO2/graphene/Curri/SiO2/Si interconnects; Micro copper wires; Plasma fluorination; Side leakage current; Current breakdown;
机译:SiO2 /石墨烯/ Cu / Ti / Si2 / Si样本侧漏电流氟化碳膜和退火条件的影响
机译:退火条件和Si / Al膜的厚度比对金属诱导的Si / Al / Si / SiO2 /玻璃样品的霍尔结晶中霍尔载流子迁移率,Al载流子浓度和形成的纳米空隙的影响
机译:偶氮膜作为IGZO / SiO2和IGZO / AZO / SiO2样本微观结构结晶度和电气和光学性质的感应层和退火温度的影响
机译:通过准确地模拟薄SiON和SiO2 / High-K堆叠中的漏电流增加来解释“电压驱动”击穿统计
机译:苯乙烯均聚以及乙烯与苯乙烯共聚单体共聚中的双金属作用。使用负载型茂金属的高能量存储密度金属氧化物-聚烯烃纳米复合材料的范围,动力学和机理/催化原位合成。纳米粒子,形状和界面特性对漏电流密度,介电常数和击穿强度的影响
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:退火后条件对al2O3介电性能的影响 在pt / Ti / siO2 / si衬底上制备CaCu3Ti4O12薄膜