Ti的活度对SiO2陶瓷-TC4接头陶瓷侧界面行为的影响

摘要

采用AgCu/Ni复合中间层钎焊SiO2陶瓷与TC4合金,形成了良好接头;采用组织均匀熔点为909.1℃的自制AgCuTiNi活性钎料对SiO2陶瓷进行钎焊,形成良好连接.通过使用扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析(XRD)等手段对上述两种钎焊试件界面组织进行分析,研究了Ti的活度对SiO2陶瓷-TC4接头陶瓷侧界面行为的影响.结果表明,TC4/AgCu/Ni/SiO2陶瓷接头的典型界面结构为:TC4合金/α-Ti(s,s)/Ti(s,s)+Ti2(Ni,Cu)+Ti2(Cu,Ni)/Ti4O7+TiSi2/SiO2陶瓷;AgCuTiNi/SiO2陶瓷试件的典型界面结构为:Ti2(Cu,Ni)/Ti(s,s)+Ti2(Ni,Cu)+Ti2(Cu,Ni)/Ti4O7+TiSi2/SiO2陶瓷.钎焊温度为970℃,保温时间相同时,随着Ti活度的增强SiO2陶瓷侧反应层厚度明显增加.钎焊温度为970℃,Ti活度相同时,随着保温时间的延长SiO2陶瓷侧反应层厚度增加.