机译:在VO2的相位转变中的各向同性康普顿轮廓差异
Univ Helsinki Dept Phys POB 64 FI-00014 Helsinki Finland;
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Univ Helsinki Dept Phys POB 64 FI-00014 Helsinki Finland;
ESRF European Synchrotron 71 Ave Martyrs CS40220 F-38043 Grenoble 9 France;
Univ Helsinki Dept Phys POB 64 FI-00014 Helsinki Finland;
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机译:在VO2的相位转变中的各向同性康普顿轮廓差异
机译:M1相VO2和M2相VO2:Cr薄膜包覆的微悬臂梁的相变行为
机译:用高斯基集计算各向同性康普顿轮廓
机译:基于VO2和GE掺杂VO2 ALD薄膜中绝缘子 - 金属相转变的射频温度传感器
机译:真空下VO2薄膜异常高相变温度的系统表征
机译:金属-绝缘体转变附近外延应变抑制VO2中的结构相变
机译:各向同性康普顿轮廓差异在VO2的相位过渡中差异
机译:一些4D过渡金属的康普顿剖面