机译:折射率的微观理论应用于超材料:对应于标准关系的有效电流响应张量N(2)=ε(Eff)Mu(Eff)
Rhein Westfal TH Aachen Inst Theoret Solid State Phys Otto Blumenthal Str D-52074 Aachen Germany;
TU Bergakad Freiberg Inst Theoret Phys Leipziger Str 23 D-09596 Freiberg Germany;
机译:折射率的微观理论应用于超材料:对应于标准关系的有效电流响应张量N(2)=ε(Eff)Mu(Eff)
机译:一种用于表征新鲜载流子和热载流子的有效迁移率(/ spl mu // sub eff /)和串联电阻(R / sub s /,R / sub d /)的新型直流漏电流电导方法(DCCM)应力渐变结MOSFET
机译:高T {sub} c超导体中有效活化能U {sub}(eff)(J)的电流密度依赖性的提取方法
机译:具有成本效益的0.25 / spl mu / m L / sub eff / BiCMOS技术,具有渐变通道CMOS(GCMOS)和准自对准(QSA)NPN,适用于RF无线应用
机译:应用于超材料的微观折射率理论: 对应于标准关系$ n ^ 2 =的有效电流响应张量 \ varepsilon _ {\ mathrm {eff}} \ mu _ {\ mathrm {eff}} $