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机译:储存冶金气相外延生长稀InAsBI / GaAs纳米结构的形态演化的温度依赖性
1Faculty of Sciences Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications University of Monastir 5019 Tunisia;
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Bismuth; InAsBi nanostructures; growth kinetics; MOVPE;
机译:储存冶金气相外延生长稀InAsBI / GaAs纳米结构的形态演化的温度依赖性
机译:金属有机气相外延生长的稀GaAsN合金的低温发射
机译:金属有机汽相外延生长在GaAs衬底上的In0.2Ga0.8As层中的位错密度与温度的关系
机译:金属有机气相外延生长的GaAs,GaInP的表面形态,用于以氮为载气的异质结双极晶体管应用
机译:硅基衬底的化学和表面微观结构及其对通过金属有机气相外延生长的III族氮化物膜微观结构演变的影响。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:氧对金属有机气相外延生长Gaas(001)表面形貌的影响
机译:控制氧掺入金属有机气相外延Gaas的多个深层