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【24h】

Influence of After-Growth Treatments on the Optical Parameters of Teraherz ZnGeP2 Crystals

机译:后生长处理对太赫兹ZNP2晶体光学参数的影响

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摘要

Results of investigations are presented of the THz spectra of the refractive index n(v) and of the extinction coefficient k(v) for ZnGeP2 single crystals with different degrees of technological treatment - after growth by the vertical Bridgman technique, after heat treatment at temperatures above the Debye temperature for the highest-frequency phonons, and after modification of the single-crystal properties under irradiation by fast electrons (similar to 4 MeV).
机译:在垂直的Bridgman技术在温度下热处理之后,将折射率N(v)和Zngep2单晶的折射率N(v)和消光系数K(v)的Zngep2单晶的消光系数K(v)提出了Zngep2单晶的消光系数K(v) - 在温度下热处理之后 高于最高频声的温度,以及在快速电子照射下修改单晶性能(类似于4 MeV)。

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