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机译:MGB2线直径通过热等静压挤压 - 一种增强临界电流密度的途径
Polish Acad Sci Inst High Pressure Phys Sokolowska 29-37 PL-01142 Warsaw Poland;
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PAS Inst Low Temp &
Struct Res Okolna 2 PL-50422 Wroclaw Poland;
PAS Inst Low Temp &
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Leibniz Inst Solid State &
Mat Res Dresden Helmholtzstr 20 D-01069 Dresden Germany;
Leibniz Inst Solid State &
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Hyper Tech Res Inc 539 Ind Mile Rd Columbus OH 43228 USA;
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Polish Acad Sci Inst Phys Al Lotnikow 32-46 PL-02668 Warsaw Poland;
superconductivity; MgB; wires; hot isostatic pressing; electrical connectivity;
机译:MGB2线直径通过热等静压挤压 - 一种增强临界电流密度的途径
机译:薄片结构的影响和高等静压压力对没有屏障的原位MGB2线临界电流密度
机译:高等静压对C掺杂MGB2线临界电流密度的影响
机译:用甲苯处理的硼粉降解MgB2中的孔隙率并提高临界电流密度
机译:用于强磁场的圆形和矩形增强Bi2Sr2CaCu 2O8 + X线中的临界电流密度的机械和电气特性
机译:FeO包覆的MgB2薄膜在高磁场下的临界电流密度的提高
机译:非晶硼粒度,高等静压,退火温度和填充密度在MGB2线中的结构,临界参数,N值和工程临界电流密度的影响