MgB2; Critical current density; Flux pinning; Porosity;
机译:用甲苯处理的硼粉降解MgB2中的孔隙率并提高临界电流密度
机译:通过混合相对不纯的硼粉增强MgB2中的临界电流密度
机译:通过低成本碳封装的硼粉,在MgB2中获得了出色的临界电流密度
机译:用甲苯处理的硼粉降解MgB_2中的孔隙率并提高临界电流密度
机译:晶体各向异性,掺杂,孔隙率和连接性对超导二硼化镁块,线和薄膜的临界电流密度的影响。
机译:FeO包覆的MgB2薄膜在高磁场下的临界电流密度的提高
机译:非晶硼粒度,高等静压,退火温度和填充密度在MGB2线中的结构,临界参数,N值和工程临界电流密度的影响
机译:提高高温超导体临界电流密度(J(sub c))和临界温度(T(sub c))的研究