机译:非晶硼粒度,高等静压,退火温度和填充密度在MGB2线中的结构,临界参数,N值和工程临界电流密度的影响
机译:薄片结构的影响和高等静压压力对没有屏障的原位MGB2线临界电流密度
机译:高等静压对C掺杂MGB2线临界电流密度的影响
机译:MGB2线直径通过热等静压挤压 - 一种增强临界电流密度的途径
机译:原位/异位结合技术合成的MgB2的晶粒连通性,堆积密度和临界电流密度之间的相关性
机译:通过CVD硼薄膜的异位退火生长的超导二硼化镁薄膜中的临界电流密度的研究。
机译:细丝尺寸对过压处理的Bi-2212圆线中临界电流密度的影响
机译:通过优化烧结温度改善同位素(MgB2)-B-11单丝的传输临界电流密度和微观结构
机译:晶粒尺寸和晶界对高T(sub c)超导氧化物临界电流密度的影响