...
机译:不同NA供给方法对薄Cu(IN,GA)SE-2太阳能电池与AL2O3后钝化层的影响
Uppsala Univ Angstrom Lab Dept Engn Sci Box 534 S-75121 Uppsala Sweden;
Uppsala Univ Angstrom Lab Dept Engn Sci Box 534 S-75121 Uppsala Sweden;
Uppsala Univ Angstrom Lab Dept Engn Sci Box 534 S-75121 Uppsala Sweden;
Uppsala Univ Angstrom Lab Dept Engn Sci Box 534 S-75121 Uppsala Sweden;
Uppsala Univ Angstrom Lab Dept Engn Sci Box 534 S-75121 Uppsala Sweden;
Alkali; Back contact; CIGS; Passivation; Thin films; Rear contact; Tunneling;
机译:不同NA供给方法对薄Cu(IN,GA)SE-2太阳能电池与AL2O3后钝化层的影响
机译:用于超薄Cu(In,Ga)Se-2太阳能电池的高反射背面钝化设计
机译:使用SCAPS 1-D模型解决背面钝化机制对超薄Cu(In,Ga)Se-2太阳能电池性能的影响
机译:图案化TiO2和Al2O3层作为钝化背接触的超薄Cu(In,Ga)Se2太阳能电池的比较研究
机译:Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池中的替代缓冲层开发
机译:用于高效Cu(GA)SE2太阳能电池优化光栅AL2O3钝化结构的设计
机译:改进的Cu(In,Ga)Se2太阳能电池的背面钝化:Al2O3背面钝化层和纳米级局部背面触点的组合