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机译:锗源双光双介质三重材料围绕闸门隧道FET的影响改进模拟/射频性能
Thiagarajar Coll Engn Dept Elect &
Commun Engn Madurai 625015 Tamil Nadu India;
Thiagarajar Coll Engn Dept Comp Sci &
Engn Madurai 625015 Tamil Nadu India;
Thiagarajar Coll Engn Dept Elect &
Commun Engn Madurai 625015 Tamil Nadu India;
Halo doping; Germanium source; RF stability; Surrounding gate TFET; Analog FOMs;
机译:锗源双光双介质三重材料围绕闸门隧道FET的影响改进模拟/射频性能
机译:锗基双晕栅堆叠三材料环绕栅隧道场效应晶体管的新亚阈值性能分析
机译:双光晕双介电三液包围栅极(DH-DD-TM-SG)MOSFET的副阈值建模,用于改进泄漏
机译:用于射频应用的双光晕双介电三层材料环绕栅MOSFET的噪声分析
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:T形栅极双源极隧道场效应晶体管的模拟/ RF性能
机译:绝缘子(SOI)隧道FET上双材料栅极(DMG)硅的性能分析