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【24h】

露光機のフォーカス精度測定方法の開発

机译:曝光机聚焦精度测量方法的发展

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摘要

近年半導体デバイスの急速な高集積化に伴い,フォトリソグラフィ技術では露光波長の短波長化,露光投影レンズの大口径化(レンズの高開口数化)だけでなく,位相シフトマスクや光近接効果補正技術,露光照明条件の工夫等のさまざまな超解像技術を駆使して微細パターンの形成を実現している。 現在では,露光波長248 nmのKrF エキシマレーザ光を露光光としたフォトリソグラフィプロセスで,130 nmレベルのパターン形成を可能にしている。 今回我々はフォーカス自動測定技術を用い,KrFスキャナ型露光機における微小なフォーカスエラーを高精度かつ簡便に測定する技術を独自に開発したので報告する。
机译:近年来,随着半导体器件的快速集成,光刻技术具有短波长的曝光波长和曝光投影透镜直径的大直径(高光圈数),还有相移掩模和光学邻近校正的形成精细图案通过充分利用技术和曝光照明条件,充分利用各种超级分辨率技术。 目前,具有曝光波长248nm KRF准分子激光作为曝光光的光刻过程使得能够实现130nm水平图案形成。 这次我们使用焦点自动测量技术,我们开发了一种技术在KRF扫描仪曝光机中高度准确且易于测量的微孔误差。

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