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Layer-controlled single-crystalline graphene film with stacking order via Cu-Si alloy formation

机译:层控制的单晶石墨烯薄膜,具有Cu-Si合金形成的堆叠顺序

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摘要

Well-controlled multilayer graphene up to four layers thick with a defined stacking sequence is synthesized via SiC alloy formation on a Cu(111) substrate.
机译:通过Cu(111)衬底上的SiC合金形成合成良好地控制的多层石墨烯,最高可达具有限定堆叠序列的三层。

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  • 来源
    《Nature nanotechnology》 |2020年第10期|共18页
  • 作者单位

    Inst Basic Sci IBS Ctr Integrated Nanostruct Phys CINAP Suwon South Korea;

    Inst Basic Sci IBS Ctr Integrated Nanostruct Phys CINAP Suwon South Korea;

    Inst Basic Sci IBS Ctr Integrated Nanostruct Phys CINAP Suwon South Korea;

    Univ Paris Saclay LOrme Merisiers St Aubin Synchrotron SOLEIL Gif Sur Yvette France;

    Inst Basic Sci IBS Ctr Integrated Nanostruct Phys CINAP Suwon South Korea;

    Inst Basic Sci IBS Ctr Integrated Nanostruct Phys CINAP Suwon South Korea;

    Spanish Sci Res Council CSIC Mat Sci Inst Madrid ICMM Madrid Spain;

    Pusan Natl Univ Dept Cogno Mechatron Engn Dept Opt &

    Mechatron Engn Busan South Korea;

    Inst Basic Sci IBS Ctr Integrated Nanostruct Phys CINAP Suwon South Korea;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 特种结构材料;
  • 关键词

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