机译:直流溅射功率和快速热加工温度对钨二硫化薄膜的影响
Gachon Univ Dept Elect Engn Seongnam South Korea;
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Gachon Univ Dept Elect Engn Seongnam South Korea;
Gachon Univ Dept Elect Engn Seongnam South Korea;
Tungsten disulfide (WS2); DC sputtering; rapid thermal processing (RTP); atomic force microscopy (AFM); Hall measurement;
机译:直流溅射功率和快速热加工温度对钨二硫化薄膜的影响
机译:基于磁控溅射的薄膜太阳能电池二硫化钨(WS2)薄膜制备路线
机译:磁控共溅射DC技术制备掺钛二硫化钨薄膜的结构与性能
机译:钨钛溅射靶材加工对超大规模集成电路应用中颗粒生成和薄膜性能的影响
机译:在高温下溅射沉积的超弹性镍钛薄膜的加工,微观结构和热机械行为。
机译:热氧化硅衬底上非常薄的共溅射Ti-Al和多层Ti / Al膜的相形成和高温稳定性
机译:基板温度和膜厚对HPPMS和直流磁控溅射Ge薄膜的热,电和结构性能的影响