机译:闪锌矿型A(III)B(V)复合半导体中位移场的计算和HRTEM图像的模拟
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机译:闪锌矿II-VI型半导体平均内部库仑势的第一性原理计算
机译:答复D.T.J.的评论``闪锌矿型化合物半导体中孪晶形成的分析:使用统计方法对块状InP进行模型研究'' Hurle和M.Dudley
机译:带电脱位对III-V复合半导体FINFET性能的影响
机译:HRTEM在材料科学问题和位错模拟中的应用。
机译:用于量产纳米电子的III–V化合物半导体:位错迁移率降低的理论研究
机译:拟rγstals脱位周围位移场的HRTEM观察
机译:III-V半导体化合物中稀土离子的理论晶场计算。