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机译:通过相移电子全息术,精确测量偏置的GaAs化合物半导体中的电位
Japan Fine Ceram Ctr Nanostruct Res Lab Atsuta Ku 2-4-1 Mutsuno Nagoya Aichi 4568587 Japan;
Japan Fine Ceram Ctr Nanostruct Res Lab Atsuta Ku 2-4-1 Mutsuno Nagoya Aichi 4568587 Japan;
Furukawa Elect Corp Ltd Adv Technol Res &
Dev Labs Nishi Ku 2-4-3 Okano Yokohama Kanagawa;
Japan Fine Ceram Ctr Nanostruct Res Lab Atsuta Ku 2-4-1 Mutsuno Nagoya Aichi 4568587 Japan;
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Furukawa Elect Corp Ltd Adv Technol Res &
Dev Labs Nishi Ku 2-4-3 Okano Yokohama Kanagawa;
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phase-shifting electron holography; GaAs compound semiconductor; p-n junction; in situ observation; wedge-shaped specimen; cryo-FIB;
机译:通过相移电子全息术,精确测量偏置的GaAs化合物半导体中的电位
机译:使用相移电子全息术和洛伦兹显微镜直接观察GaAs化合物半导体中的掺杂剂分布。
机译:通过离轴相移电子全息图绘制GaAs半导体中的掺杂剂浓度
机译:使用电子全息术测量沿电偏置碳纳米管的电荷分布
机译:使用离轴电子全息图表征化合物半导体的静电势。
机译:GaAs / AlGaAs半导体接口处的远程高速电子自旋传输
机译:相移电子全能,用于精确测量有机和无机半导体中的潜在分布
机译:高载流子迁移率InGaas化合物半导体和GaN的高电介质 - 生长,界面结构研究和表面费米能级解旋