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机译:MBE生长的蒸发或电镀金金色触点的特定接触电阻的研究
Mil Univ Technol Inst Appl Phys 2 Urbanowicza Str PL-00908 Warsaw Poland;
Vigo Syst SA 129-133 Poznanska Str PL-05850 Ozarow Mazowiecki Poland;
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Vigo Syst SA 129-133 Poznanska Str PL-05850 Ozarow Mazowiecki Poland;
Mil Univ Technol Inst Appl Phys 2 Urbanowicza Str PL-00908 Warsaw Poland;
InAs; Specific contact resistance; Low resistance contacts; Electroplating; CTLM; MBE;
机译:MBE生长的蒸发或电镀金金色触点的特定接触电阻的研究
机译:分子束外延生长的p型Ge上的极低电阻非合金欧姆接触
机译:通过使用通过VLS传输选择性生长的高度p型掺杂的4H-SiC层来提高p型4H-SiC的比接触电阻
机译:Ni / Ti / Al三元体系在p型和n型4H-SiC上同时形成欧姆接触的研究
机译:通过气液固生长过程合成的p型和n型硅纳米线的接触研究
机译:更正:(1)某些OFF型双极细胞与猕猴和小鼠视网膜的视杆和视锥接触; (2)猕猴视网膜中的双极细胞关闭:外突触层和内突触层的特定类型连接性
机译:高迁移率Wse2 p型和n型场效应晶体管,由高掺杂石墨烯接触,用于低电阻触点
机译:mBE生长的n型和p型pbTese基热电极的高输出功率密度通过改进的接触金属化。