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机译:由于Al原子引入SiO(2)/ Geo(2)栅极堆叠导致Ge P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的移动性增强机理
Kyushu Univ Interdisciplinary Grad Sch Engn Sci Kasuga Fukuoka 8168580 Japan;
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Kyushu Univ Inst Mat Chem &
Engn Kasuga Fukuoka 8168580 Japan;
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Kyushu Univ Global Innovat Ctr Kasuga Fukuoka 8168580 Japan;
Ge; MOSFET; Gate stack; Mobility enhancement; Defect termination;
机译:由于Al原子引入SiO(2)/ Geo(2)栅极堆叠导致Ge P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的移动性增强机理
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