机译:Mg离子浓度在Zro2介电层叠硅基MOS电容中的影响:对传导过程的彻底理解
Pondicherry Univ Ctr Nanosci &
Technol Kalapet 605014 Puducherry India;
Pondicherry Univ Dept Phys Kalapet 605014 Puducherry India;
Pondicherry Univ Ctr Nanosci &
Technol Kalapet 605014 Puducherry India;
Tetragonal phase stabilized ZrO2; High-kappa based MOS capacitors; Electron beam evaporation; Rutherford backscattering spectrometry; Atomic force microscopy;
机译:Mg离子浓度在Zro2介电层叠硅基MOS电容中的影响:对传导过程的彻底理解
机译:用于了解由原子层沉积沉积的高k介电材料进行动态随机存取存储器电容器应用的最新进展
机译:用于非易失性半导体存储器(NVSM)的基于二氧化ha(HfO_2)层的双栅极电介质堆栈的可靠性问题
机译:无定形和结晶BAHFO {Sub} 3高k层锡的介质特性,用于存储电容器应用
机译:了解电容器应用的多层聚合物膜的损失机制和增强介电性能
机译:微波退火介电增强沉积原子层的Al2O3 / ZrO2 / Al2O3 MIM电容器
机译:原子层沉积法制备栅介质ZrO2 / al2O3双层薄膜的特性