机译:RF溅射功率和真空退火对偶氮纤维薄膜在共聚焦构型中制备的偶氮薄膜性能的影响
Univ Sorbonne Paris Nord UPR CNRS 3407 Lab Sci Proc &
Mat Villetaneuse France;
Univ Badji Mokhtar Annaba Lab Semicond Annaba 23000 Algeria;
Univ Badji Mokhtar Annaba Lab Semicond Annaba 23000 Algeria;
Univ Sorbonne Paris Nord UPR CNRS 3407 Lab Sci Proc &
Mat Villetaneuse France;
Univ Sorbonne Paris Nord UPR CNRS 3407 Lab Sci Proc &
Mat Villetaneuse France;
Univ Sorbonne Paris Nord UPR CNRS 3407 Lab Sci Proc &
Mat Villetaneuse France;
Univ Bejaia Lab Genie Environm Bejaia 06000 Algeria;
Univ Nantes Inst Mat Jean Rouxel IMN CNRS F-44000 Nantes France;
Zinc oxide; AZO thin films; RF sputtering power; Vacuum annealing; Optoelectronics properties;
机译:RF溅射功率和真空退火对偶氮纤维薄膜在共聚焦构型中制备的偶氮薄膜性能的影响
机译:直流磁控溅射制备透明导电AZO薄膜及其真空退火
机译:用纯金属Zn靶法制备ZnO薄膜制备的ZnO薄膜结构与性能的比较研究和ZnO陶瓷靶
机译:退火后温度对射频磁控溅射制备的Ga和F共掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:NIR退火对RF溅射Al掺杂ZnO薄膜特性的影响
机译:射频溅射功率和真空退火对偶氮靶法制备陶瓷靶制备的偶氮薄膜性能的影响
机译:通过mOCVD和RF溅射制备的srTiO(sub 3)(100)上异质外延pb(Zr(sub 0.35)Ti(sub 0.65))O(sub 3)/ srRuO(sub 3)多层薄膜的结构和性质