机译:立方相中Ti掺杂Aln和GaN的不同行为铁磁
Grupo de Materiales y Sistemas Complejos GAMASCO Universidad de Cordoba;
Grupo de Materiales y Sistemas Complejos GAMASCO Universidad de Cordoba;
Grupo GEFEM Universidad Distrital Francisco Jose de Caldas;
DFT calculations; Electronic and magnetic properties;
机译:立方相中Ti掺杂Aln和GaN的不同行为铁磁
机译:MBE用AlN / GaN有序合金在GaAs(100)上生长立方GaN膜-高质量立方GaN的新方法
机译:MBE使用Aln / GaN有序合金的GaAs(100)的立方GaN膜的生长 - 高质量立方GaN的新方法
机译:RF-MBE在GaAs(100)上使用Aln / GaN有序合金的立方GaN薄膜的特征
机译:AlN,GaN及其合金的金属有机气相沉积。
机译:CH2O在BNAlNGaNInNBP和P单层上的吸附行为的第一性原理研究
机译:纤锌矿结构系统AlN–GaN,GaN–InN和AlN–InN的第一原理相图计算
机译:立方GaN薄膜中生长,氮空位降低和固溶体形成及随后使用alN和InN制备超晶格结构。