monolayer materials CH2O first-principles calculation gas sensor;
机译:第一性原理研究CH 2 O在BN,AlN,GaN,InN,BP和P单层上的吸附行为
机译:莫掺杂Aln,GaN和Inn Monolayers的磁性特性与第一原理的比较研究
机译:(BN)(1)/(INN)(1),(ALN)(1)/(1)(1)和(GaN)(1)/(Inn)(1)(001)超晶格:光电 和粘合性质
机译:单层六边形氮化物上的氢气和水吸附(H-BN):第一原理计算
机译:等离子体辅助分子束外延的Inn / GaN多量子孔的生长和行为
机译:III-氮化物多晶型物的第一原理研究:PMN21相中的ALN / GAN / INN
机译:第一原理调查CH2O在BN,Aln,GaN,Inn,BP和P单层的吸附行为
机译:alN,GaN和InN的第一性原理计算:体积和合金性质