机译:(BN)(1)/(INN)(1),(ALN)(1)/(1)(1)和(GaN)(1)/(Inn)(1)(001)超晶格:光电 和粘合性质
Univ Tlemcen Fac Sci Dept Phys BP 119 Tilimsen 13000 Algeria;
Univ Tlemcen Fac Sci Dept Phys BP 119 Tilimsen 13000 Algeria;
ESSA BP 165 RP Tilimsen 13000 Algeria;
Univ Tlemcen Fac Sci Dept Phys BP 119 Tilimsen 13000 Algeria;
Ab initio calculation; Band structure; Bonding properties; Structural relaxation;
机译:(BN)(1)/(INN)(1),(ALN)(1)/(1)(1)和(GaN)(1)/(Inn)(1)(001)超晶格:光电 和粘合性质
机译:纤锌矿结构系统AlN-GaN,GaN-InN和AlN-InN的第一原理相图计算
机译:InN / AlN和InN / GaN界面上的电子积累
机译:相互扩散的GaN / BN,AlN / BN和InN / BN超晶格中的声子限制非常强
机译:Inn和IngaN Nanostrctures的光学分析= Optiant Analsite Von Ind Indoostructure
机译:CH2O在BNAlNGaNInNBP和P单层上的吸附行为的第一性原理研究
机译:纤锌矿结构系统AlN–GaN,GaN–InN和AlN–InN的第一原理相图计算
机译:立方GaN薄膜中生长,氮空位降低和固溶体形成及随后使用alN和InN制备超晶格结构。