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机译:II型超晶格屏障装置中的少数载流子寿命和扩散长度
Semicond Devices POB 2250 IL-31021 Haifa Israel;
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Infrared detector; Bariode; XBp detector; Type II superlattice; InAs/GaSb superlattice; K.p model; Lifetime; Diffusion length;
机译:II型超晶格屏障装置中的少数载流子寿命和扩散长度
机译:GaN中少数载流子扩散长度和寿命的值及其对双极型器件的影响
机译:电子辐照引起掺Mg的AlN / AlGaN短周期超晶格中少数载流子扩散长度,迁移率和寿命的增加
机译:II型超晶格红外探测器的方面:少数载流子寿命和电导有效质量
机译:使用实时基线校正方法研究InAs / InAsSb II型超晶格中少数载流子的寿命和运输。
机译:II型超晶格具有带结构设计的光生载流子提取器的可见/扩展短波长红外光电探测器
机译:在由Inas / Inassb组成的长波红外III-V型II超晶格中观察到的少数载流子寿命显着改善
机译:在由Inas / Inassb组成的长波长红外III-V II型超晶格中观察到显着改善的少数载流子寿命。