...
机译:通过混合氧化物稳定/气液固相生长在锗纳米线上的选择性外延生长
机译:通过混合氧化物稳定/气液固相生长在锗纳米线上的选择性外延生长
机译:通过在气液固和气固固生长之间切换来控制<110>锗纳米线生长中的刻面
机译:汽液化学气相沉积法生长窄而直的锗纳米线
机译:通过选择性外延生长进行锗带隙的应变调整,用于电吸收调节剂
机译:利用金催化的气液固机理生长外延硅和锗纳米线。
机译:催化剂表面润湿性分析:外延锗纳米线生长的早期阶段
机译:表面条件对si(100)衬底上锗纳米线气 - 液 - 固生长的影响