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机译:在10nm技术节点处的近阈值和超级阈值逻辑的不对称凸起的FinFET
GLOBALFOUNDRIES Inc;
NVIDIA Corporation;
School of Electrical and Computer Engineering Purdue University;
School of Electrical and Computer Engineering Purdue University;
Design; Performance; Evaluation; Asymmetric underlap; Direct source to drain tunneling; Short channel effects; Leakage; Optimization; Quantum simulation; Near-threshold; Super-threshold; LEON3 processor;
机译:在10nm技术节点处的近阈值和超级阈值逻辑的不对称凸起的FinFET
机译:适用于高速应用的低功耗超阈值FinFET Domino逻辑电路
机译:用于高速和低泄漏6T SRAM的不对称欠重叠Sub-10-nm n-FinFET
机译:10nm以下域中基于不对称欠叠Finfin的6T和8T SRAM的性能和可靠性
机译:10纳米以下鳍片的不对称重叠优化,可实现节能逻辑和强大的存储器。
机译:基于射频/模拟电路的非对称漏极扩展Dual-kk Trigate叠底FinFET
机译:低功耗超级阈值FinFET Domino逻辑电路,用于高速应用