机译:SiC表面缺陷对大气压等离子体抛光材料去除材料的影响
Harbin Inst Technol Shenzhen Sch Mech Engn &
Automat Shenzhen 518055 Guangdong Peoples R China;
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Atmospheric pressure plasma polishing; SiC; Chemical etching; Surface defect; Removal rate;
机译:SiC表面缺陷对大气压等离子体抛光材料去除材料的影响
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