Procedes plasma a basse temperature pour le depot de couches minces de silicium : vers des cellules solaires a haut rendement

摘要

Nous retracons l'evolution des couches minces de silicium obtenues par des procedes plasma a ~200 °C. Le silicium amorphe hydrogene constitue le materiau de reference, mais tres vite des alliages de silicium avec du carbone et du germanium ont ete utilises pour la realisation de cellules a triple jonction, dont le rendement atteint 15%. Neanmoins, ces materiaux amorphes presentent une forte densite de defauts electroniques dans la bande interdite, ce qui limite le rendement des dispositifs. Le silicium nano- et microcristallin a suivi un developpement parallele.