空间用高效薄硅太阳电池耐辐照特性研究

摘要

文章对空间用高效薄硅太阳电池的耐辐照特性进行了研究,研究中采用1MeV能量的电子对高效薄硅太阳电池进行了辐照试验,随着辐照剂量的增加,薄硅太阳电池的电性能衰降加剧,辐照导致半导体材料内部产生各种缺陷,且缺陷产生的数量与辐照剂量有直接关系,这些缺陷形成的复合中心和俘获中心是导致太阳电池性能下降的原因.薄硅太阳电池的倒金字塔表面陷光结构、0.13mm的基体厚度和浅发射结均有利于提高其耐辐照性能.