ETUDE DES DEGAIS DE RADIATION DANS LES CELLULES MINCES AU SILICIUM FABRIQUEES A PARTIR DE DIRRERENTS MATERIAUX DE BASE (ETUDE CERT 4027)

摘要

Des cellules solaires en silicium mince, fabriquées a partir de onze types de silicium p ont et soumises des flux 5.10 15e/cm2 d'électrons de 1 Mev et des flux de 2.10 12 et 5.1011p/cm2 protons de 2,5 MeV et 10 MeV respectivement.nCes cellules étaient périodiquement irradiées en durant 48 heures. Les caractéristiques IV et les longueurs de d de porteurs minoritaires étaient relevées apres chaque irrp.diat relation entre la longueur de diffusion et le flux de particul trouvée de la forme:n(L0/L)2-1=(K Φ)n avec n different de 1.nDes analyses par activation nucléaire, par spectroscopie infrarouge et par effet Hall ont permis de mesurer les concentrations des impuretés 0, C, B, Al et p contenues dans le silicium. Aucune corrélation entre la dégradation par photons et la nature des impuretés introduites n'a été observée.