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机译:MOS2高性能超级电容器Ulthathin Nanoflaker:室温化学浴沉积(CBD)
Visvesvaraya Natl Inst Technol Dept Appl Phys Nanomat &
Device Lab South Ambazari Rd Nagpur 440010 Maharashtra India;
Barcelona Inst Sci &
Technol CSIC BIST Catalan Inst Nanosci &
Nanotechnol ICN2 Campus UAB Barcelona 08193 Spain;
Visvesvaraya Natl Inst Technol Dept Appl Phys Nanomat &
Device Lab South Ambazari Rd Nagpur 440010 Maharashtra India;
机译:MOS2高性能超级电容器Ulthathin Nanoflaker:室温化学浴沉积(CBD)
机译:退火温度对化学浴沉积(CBD)技术生长的硒化铅(PBSE)薄膜的光学和固态特性的影响。
机译:化学浴沉积(CBD)方法室温合成聚噻吩薄膜并表征
机译:通过化学浴沉积的PBS薄膜的低温制备和异质结太阳能电池的光伏性能
机译:外延半导体材料的化学浴沉积和电沉积,用于光伏器件
机译:退火温度对化学浴镀(CBD)技术在低溶液浓度下沉积的CdS薄膜光学光谱的影响
机译:用于高性能超级电容器的MoS2超薄纳米薄片:室温化学浴沉积(CBD)