DC-DCコンバータ設計の常識－POLからチャージ·ポンプ,高電圧品まで：ハイ·サイド·スイッチにMOSFETを使った場合PチャネルまたはNチャネルによりゲート電位はどのように遠いますか？

弥田秀昭

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DC-DCコンバータ設計の常識－POLからチャージ·ポンプ,高電圧品まで：ハイ·サイド·スイッチにMOSFETを使った場合PチャネルまたはNチャネルによりゲート電位はどのように遠いますか？

机译：常识DC-DC转换器设计-POR到充电泵，高压产品：在高侧开关时，使用MOSFET进行高侧开关P频道或N通道栅极电位更远多长时间？

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一般に，降圧型DC-DCコンバータICのスイッチ出力の近くを見ると，図1のようにBOOTピンがあり小容量のコンデンサをPHピンとの間に付けるIC と，図2のようにBOOTピン自体がないICがあります．

机译：通常，通过PH引脚和Boot引脚本身沿着级降压DC-DC转换器IC，Boot引脚和小容量电容的开关输出，如图4所示。有IC没有。

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来源
《トランジスタ技術》 |2009年第536期|共1页
作者
弥田秀昭;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类半导体三极管（晶体管）;
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