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豊田合成、縦型GaNパワー半導体で100A以上の大電流化を実現

机译:丰田综合和垂直GaN功率半导体实现了100A或更大的大电流

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摘要

豊田合成は、青色LEDの主材料である窒化ガリウム(Ga N)の結晶化技術を用いて開発を進める「縦型Ga Nパワー半導体」において、世界最高水準となる1チップで100A以上の大電流動作を実現した。同社はこれまで、耐圧性に優れるGaNを材料として使用するとともに、電気を基板に対して垂直に流す「縦型構造」を採用し、薄型·小型化などを図ることで性能を高めてきた。
机译:丰田合成是“垂直GA N个功率半导体”在“垂直GA N个功率半导体”一“垂直GA N个功率半导体”在“竖直GA N个功率半导体”在“竖直GA N个功率半导体”表示的是蓝色LED材料N),并且100A大电流或多个在一个芯片中操作被实现。 公司到目前为止,具有耐压性作为材料的GaN系优异,并且采用了“垂直结构”流动垂直电动到衬底上,增加了实现这种更薄,更小的性能。

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