首页> 中文期刊>变频器世界 >浅谈GaN功率半导体存在的问题及未来挑战!

浅谈GaN功率半导体存在的问题及未来挑战!

     

摘要

随着对新型汽车电池电动汽车(BEV)的需求升温,汽车制造商正在寻找解决方案来满足功率半导体严格的零缺陷目标。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)宽带隙功率半导体为汽车制造商提供了一系列新的电动汽车解决方案,但如何满足汽车行业严格的质量目标仍然存在问题。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号