東京応化／日立、EUVリソグラフィ用低分子フォトレジスト材開発

摘要

東京応化工業と日立製作所は新エネルギー·産業技術総合開発機構の委託事業において、技術研究組合超先端電子技術開発機構の協力を得て、hp（ハーフピッチ）32nm世代以降の半導体デバイス量産プロセスで必要となるEUV（極端紫外線）リソグラフィ用ポジ型およびネガ型低分子フォトレジスト材料の基本技術を確立した。